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半導(dǎo)體行業(yè)涉及哪些有毒有害氣體？如何做檢測解決方案？
發(fā)布時(shí)間：2024-04-11
半導(dǎo)體屬于高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，往往被誤解為“清潔”產(chǎn)業(yè)，但事實(shí)上，在清洗、光刻、去膠、烘干等工藝中需使用大量的酸、堿及有機(jī)溶劑和多種特殊氣體，整個(gè)生產(chǎn)過程三廢產(chǎn)量大、種類多。半導(dǎo)體工業(yè)用氣體具有品種多、質(zhì)量要求高、用量少等特點(diǎn)，大部分是有毒或腐蝕性氣體，品種高達(dá)百余種。
芯片制造涉及硅片制備、硅片制造、硅片測試/揀選、裝配與封測、最終測試五大生產(chǎn)階段，彼此獨(dú)立，而特種氣體則或多或少參與到各個(gè)環(huán)節(jié)當(dāng)中。
作為不可或缺的關(guān)鍵材料，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，拉動(dòng)了特氣需求的大幅上升。因此，作為半導(dǎo)體生產(chǎn)的剛需，電子特種氣體是具有重要作用。
半導(dǎo)體行業(yè)氣體分類與應(yīng)用
半導(dǎo)體行業(yè)氣體劃分成常用氣體和特殊氣體兩類
常用氣體指集中供給而且使用非常多的氣體，比如N2、H2、O2、Ar、He等。
特種氣體指半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，比如延伸、離子注進(jìn)、摻和、洗滌、 遮掩膜形成過程中使用到一些化學(xué)氣體，也就是氣體類別中的電子氣體，比如高純度的SiH4、PH3、AsH3、B2H6、 N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等。
半導(dǎo)體制造各工藝所用特氣品種
圖片
半導(dǎo)體制造工藝中電子特氣應(yīng)用舉例：
01
刻蝕：
刻蝕是采用化學(xué)和物理方法，有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。
刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，刻蝕方法有濕法化學(xué)刻蝕和干法化學(xué)刻蝕。干法化學(xué)刻蝕利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，通過轟擊等物理作用達(dá)到刻蝕的目的。其主要的介質(zhì)是氣體。
硅片刻蝕氣體主要是的氟基氣體，包括CF4、SF6、C2F6、NF3 ，以及氯基（Cl2）和溴基（Br2、HBr）氣體等。
常見的刻蝕氣體如下：
02
摻雜：
在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，將某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi)，使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN 結(jié)、埋層等，摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。
主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體（如氬氣和氮?dú)猓┰谠垂裰谢旌希旌虾髿饬鬟B續(xù)注入擴(kuò)散爐內(nèi)并環(huán)繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。
常用的摻雜混合氣如下：
03
外延沉積：
外延沉積是為了在襯底晶圓上鍍上一層薄膜作為緩沖層阻止有害雜質(zhì)進(jìn)入硅襯底。常用的方法有化學(xué)氣相沉積法（CVD）和物理氣相沉積法（PVD），化學(xué)氣相沉積法用到大量電子氣體，是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。
在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有SiH2Cl2、SiCl4和SiCl4等。外延主要有外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積，非晶硅膜淀積等，是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。
常用半導(dǎo)體外延混合氣組成如下：
半導(dǎo)體行業(yè)涉及易燃、有毒有害氣體
半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)、制造、工藝等方面會涉及產(chǎn)生易燃易爆、有毒有害性的氣體。
易燃性氣體
易燃性氣體一般指可發(fā)生自燃、易燃的可燃?xì)怏w。當(dāng)環(huán)境溫度達(dá)到一定時(shí)，PH3等氣體也會產(chǎn)生自燃。可燃易燃?xì)怏w都有一定的著火燃燒爆炸范圍，即上限、下限值。此范圍越大的氣體起爆炸燃燒危險(xiǎn)性就越高，屬于易燃?xì)怏w有H2，NH3，PH3, 等等；
有毒有害氣體
毒性氣體是指在半導(dǎo)體制造行業(yè)中使用的氣體很多都是對人體有害、有毒的。如砷化氫AsH3、磷化氫PH3、硅烷SiH4、溴Br2、氟F2、氰化氫HCN、氟化氫HF等，在工作環(huán)境中的允許濃度極微，這些氣體一旦發(fā)生泄漏，會對身體產(chǎn)生極大的傷害。
● 砷化氫AsH3，有劇毒，用于半導(dǎo)體工業(yè)中，如外延硅的N型摻雜、硅中N型擴(kuò)散、離子注入、生長砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)以及與某些元素形成化合物半導(dǎo)體。
● 磷化氫PH3，是一種無色、劇毒、易燃的儲存于鋼瓶內(nèi)的液化壓縮氣體。半導(dǎo)體行業(yè)中，主要用于硅烷外延的摻雜劑，磷擴(kuò)散的雜質(zhì)源。
腐蝕性氣體
這些腐蝕性氣體通常同時(shí)也兼有較強(qiáng)的毒性，腐蝕性氣體在干燥狀態(tài)下一般不易侵蝕金屬，但在遇到水的環(huán)境下就顯示很強(qiáng)的腐蝕性，如HCI、HF、CIF3等。
惰性氣體
這些氣體本身一般不會直接對人體產(chǎn)生傷害，在氣體傳輸過程中，相對于安全上的要求不如以上其他氣體嚴(yán)格。
但惰性氣體具有室息特性，在密閉空間若發(fā)生泄漏會使人室息而造成工傷事故。屬于這類的氣體有C2F6、CF4等。
氧化性氣體
這類氣體有較強(qiáng)的氧化性，一般同時(shí)具有其他特性，如毒性或腐蝕性等，屬于這類的氣體有CIF3、NF3等。
半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)、制造、工藝等方面或多或少都會涉及到易燃易爆、有毒有害氣體，為避免這些危險(xiǎn)氣體泄漏等導(dǎo)致的事故，半導(dǎo)體行業(yè)用氣體檢測儀的使用不可或缺。
半導(dǎo)體行業(yè)危險(xiǎn)氣體檢測方案
作為半導(dǎo)體制造工廠氣體的使用者，每一位工作人員都應(yīng)該在使用前對各種危險(xiǎn)氣體的安全數(shù)據(jù)加以了解，并且應(yīng)該知道如何應(yīng)對這些氣體外泄時(shí)的緊急處理程序。
在半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)、制造及儲存等過程中，為了避免這些危險(xiǎn)氣體的泄露導(dǎo)致的生命財(cái)產(chǎn)損失，需要安裝氣體檢測儀器，來對目標(biāo)氣體進(jìn)行檢測。
氣體檢測儀在現(xiàn)今半導(dǎo)體工業(yè)已成為必備的環(huán)境監(jiān)控儀器，也是最為直接的監(jiān)測工具。
理研計(jì)器一直關(guān)注半導(dǎo)體制造行業(yè)的安全發(fā)展，以為人們營造安全的工作環(huán)境為使命，潛心開發(fā)適用于半導(dǎo)體行業(yè)的氣體傳感器，針對用戶遇到的各種問題，提供合理的解決方案，不斷升級產(chǎn)品功能，優(yōu)化系統(tǒng)。
結(jié)語
半導(dǎo)體制造業(yè)在生產(chǎn)環(huán)節(jié)經(jīng)常要使用到極高毒性，腐蝕性及易燃性氣體，氣體檢測系統(tǒng)一直是半導(dǎo)體芯片廠廠務(wù)各系統(tǒng)中最重要環(huán)節(jié)之一，設(shè)計(jì)上的優(yōu)劣會直接影響到整個(gè)廠的安全，同時(shí)作為使用儀器的工廠安全人員也應(yīng)該具備氣體檢測的安全意識。
安全生產(chǎn)是關(guān)系人民群眾生命財(cái)產(chǎn)安全的大事，是經(jīng)濟(jì)社會協(xié)調(diào)發(fā)展的標(biāo)志。在生產(chǎn)過程中，通過安裝氣體檢測報(bào)警裝置，時(shí)刻檢測有毒有害氣體泄漏濃度，將風(fēng)險(xiǎn)隱患控制在源頭。
理研計(jì)器擁有600多種氣體傳感器和100多種氣體探測器。未來，我們?nèi)詫⒉粩嚅_發(fā)新產(chǎn)品、研發(fā)各項(xiàng)新功能，使得氣體檢測儀在應(yīng)用上更先進(jìn)、更適合日新月異的市場環(huán)境，致力于為用戶提供一個(gè)可靠、準(zhǔn)確、安全的氣體檢測方案。
理研計(jì)器必將在未來氣體產(chǎn)業(yè)的生命安全畫卷中，添上濃墨重彩的一筆，守護(hù)人們的幸福生活，為生產(chǎn)和生活不斷創(chuàng)造新價(jià)值！為用戶選配適合原理的檢測儀，用成熟的工藝完善氣體檢測系統(tǒng)。